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原理
CV法利用PN结或肖基势垒在反向偏压时的电容性，可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息，这类测量成为C-V测量。这种测量可以提供材料横截面均匀性及纵向杂质浓度的分布信息。
组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容），加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN结势垒区变宽，势垒电容变小。
该仪器采用电电压测量方法，它用微处理器通过8 次电压测量来计算每次测量后要求的参数值。用个相敏检波器和模数转换器顺序快速成电压测量。正交测量通过交换测量信号的相位来行，而不是参考相位检测。因而不需要的模拟相位转换成电压矩形波电路。通过从同个频信号源形成测试信号和参考信号，来保证正确的相位关系。由微处理器根据已知的频率和测试信号相位，用ROM 存储器内的程序和所存储的按键选择来控制测量顺序，以及存储在RAM 中的校准数据来计算被测元件数值。

3. HAD-CV300参数
3.1. 测试信号频率：1.000MHz±0.01%
3.2. 测试信号电压：≤100mVrms
3.3. 测量速率：慢3次/秒，快5次/秒
3.4. 测量范围：
电容C：0.001-10000 pF
漏电：0.01-19.99μA
3.5. 直偏压：仪器自带偏压0.01-35V，分辨率：0.01V；（可外接偏压源拓展，zui大偏压输入为100V）
3.6. 工作误差：±5.0%±2字
3.7. 预热时间：30min
3.8. 供电电源：
交电压：220V±10%，频率：50Hz±5%，消耗功率：≤40W
3.9. 工作环境
        温度：0-40℃， 湿度：≤65%